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태양 전지

태양 전지

N형 M10 16BB HJT 하프컷 태양전지

182mm HJT Half Cut Solar Cell
HJT Half Cut  M10 Silicon Solar Cell

N형 M10 16BB HJT 하프컷 태양전지

  • 치수 :

    182mm*105mm±0.25mm
  • 두께 :

    150µm±20µm
  • 앞쪽 (-) :

    16*0.04mm busbars (silver), Blue layer (TCO)
  • 뒤로 (+) :

    16*0.04mm busbars (silver) Blue layer (TCO)

HJT기술이란?

 

 

이종접합 기술은 비정질 실리콘과 결정질 실리콘의 장점을 결합한 태양전지 기술의 일종이다. HJT 태양전지는 샌드위치 모양의 구조를 형성하기 위해 서로 적층된 비정질 및 결정질 실리콘의 얇은 층으로 구성됩니다. 이 독특한 구조를 통해 HJT 태양전지는 기존 태양전지에 비해 더 높은 효율을 달성할 수 있습니다.

이종접합 태양전지는 도핑에 따라 n형과 p형의 두 가지 범주로 분류될 수 있습니다.가장 널리 사용되는 도핑에는 n형 c-Si 웨이퍼가 사용됩니다. 이들은 인으로 도핑되어 음전하를 띤 추가 전자를 제공합니다. 이러한 태양전지는 붕소-산소에 면역이므로 전지의 순도와 효율이 감소합니다. P형 태양전지는 우주에서 감지되는 방사선 수준에 더 강하기 때문에 우주 응용 분야에 더 좋습니다. p형 c-Si 웨이퍼는 붕소로 도핑되어 셀에 전자가 하나 적어지고 양전하를 띄게 됩니다.

이종 접합 태양 전지의 제조 공정에는 여러 단계가 있습니다. 웨이퍼 처리, 습식 화학 처리, 코어 레이어 증착, TCO 증착 금속화입니다.

HJT 기술은 여러 가지 이유로 재생에너지 산업에서 점점 더 대중화되고 있습니다. 첫째, 효율성이 높다는 것은 기존 태양전지에 비해 같은 양의 태양광에서 더 많은 전기를 생산할 수 있다는 것을 의미합니다. 이는 동일한 양의 전기를 생산하는 데 더 적은 수의 태양전지가 필요하다는 것을 의미하므로 HJT 기술은 장기적으로 더 비용 효율적인 옵션이 됩니다.둘째, HJT 기술은 신뢰성과 내구성이 뛰어납니다. 강풍, 폭설 등 극한 기상 조건을 견딜 수 있도록 설계됐으며, 기존 태양전지에 비해 수명도 길다. 이는 HJT 기술이 유지 관리가 덜 필요하고 고장 위험이 낮아 주택 소유자, 기업 및 태양광 설치자에게 보다 안정적이고 비용 효율적인 옵션이 된다는 것을 의미합니다.셋째, HJT 기술은 기존 태양전지에 비해 미학적으로 더 좋다. 다양한 건물 스타일과 완벽하게 조화를 이루는 매끄러운 검정색 외관을 갖추고 있어 주거용 및 상업용 응용 분야에서 인기가 높습니다.

 

 

 

엔지니어링 도면(mm)

광도 신뢰성

강도(W/m²)

1000

900

800

600

400

으옥

1.00.9960.9910.9880.962

Isc

1.00.9030.8030.6020.403
* 1000W/m²에서 테스트한 Voc(Isc)를 기준으로 빛의 세기에 따라 Voc(Isc)의 감소를 테스트합니다.

 

IV 곡선

 

 

스펙트럼 응답

 

  

전면 전기적 성능 분포 

능률
암호
능률
효율(%)
최고
출력 파워
Pmpp(W)
최대 출력
포인트 전압
Vmpp(V)
최대 출력
포인트 전류
임프(A)
개방회로
전압
VOC(V)
짧은-
회로
현재의
ISC(A)
채우기 비율
FF(%)
GT-182M-246
24.6
 
4.06
0.652
8.2180.7476.46
82.02
GT-182M-247
24.7
4.08
0.651
8.1960.7486.47
82.34
GT-182M-248
24.8
4.09
0.650
8.1750.7486.48
82.59
GT-182M-249
24.9
4.11
0.649
8.1530.7486.49
82.90
GT-182M-250
25.0
4.13
0.647
8.1500.7496.50
83.11
GT-182M-251
25.1
4.14
0.646
8.1290.7496.51
83.35
GT-182M-252
25.2
4.16
0.644
8.1100.7496.52
83.48
GT-182M-253
25.3
4.18
0.643
8.0920.7506.53
83.50
GT-182M-254
25.4
4.20
0.642
8.0760.7506.54
83.70
STC(표준 테스트 조건): 1000W/m2, AM1.5, 25℃

 

후면 전기적 성능 분포

능률
암호
능률
효율(%)
최대 출력
Pmpp(W)
최고
출력 전압
Vmpp(V)
최고
출력 전류
임프(A)
개방회로
전압
VOC(V)
단락
현재의
ISC(A)
FF(%)
GT-182M-225
>22
4.85
0.6487,4880.74577.983.38
GT-182M-213
21.6-22.0
4.810.6477.440.74377,85882.14
GT-182M-212
21.6 
4.760.6467,3760.74147.84080.64
표준 테스트 조건:1000W/m², AM1.5, 25. 위의 기술 매개변수는 기술적 변경이 가능하며 테스트.
이 데이터시트에 포함된 모든 데이터는 예고 없이 변경될 수 있습니다.

 

 

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