발광 이미징

발광 이미징의 기본 원리는 시료 표면을 자극하여 빛을 낸 다음 카메라로 발광 이미징을 캡처하는 것입니다.

일반적으로 사용되는 두 가지 이미징 방법 결정질 실리콘 셀

PL(Photo-luminescent)은 입사 광자에 의해 여기됩니다. 광원은 전체 샘플을 균일하게 조명하므로 결과 이미징은 불균일한 여기 또는 국부 교차 저항의 영향을 받지 않는 샘플의 진정한 발광 프로파일입니다. 이미징의 국부적 발광 강도는 캐리어 밀도와 해당 영역의 수명에 따라 결정됩니다. 특정 영역의 빛이 강할수록 픽셀 값이 높아집니다. 반대로 방출되는 영역이 약해질수록 픽셀 값이 낮아집니다. 빛을 감소시킬 수 있는 몇 가지 요인은 다음과 같습니다.

낮은 캐리어 수명

캐리어의 도핑 밀도가 낮습니다.

국지적 결함(캐리어 재결합 센터의 형성 및 로컬 캐리어 수명의 감소). 국부적인 결함에는 원소 불순물, 실리콘 결정의 물리적 결함(예: 균열, 전위), 폴리실리콘의 결정립계 등이 포함됩니다.

EL(전자발광)은 전류에 의해 여기됩니다. EL 이미징이 생성되는 동안 여기 전류가 셀의 메인 그리드에 주입됩니다. 태양전지 자체의 직렬 저항으로 인해 여기 전압이 점차 감소하므로 버스바 외부의 여기 정도가 점차 약해집니다. 따라서 이미징은 실제 발광 분포 맵을 기반으로 고르지 않은 여기 현상도 반영합니다. 또한 국부적인 직렬 저항 분포도 여기 전압의 감소 정도를 변경하여 발광을 더욱 약화시킵니다.

PL 대 EL 분석 비교

EL 이미지에는 직렬 저항 효과 + 국부적 결함(복합 손실) 효과가 포함되어 있습니다.

PL 이미지는 직렬 저항의 영향을 나타내지 않으며 주로 국부적 결함(복합 손실)의 영향을 받습니다.

PL 이미징은 정상이었고, EL 이미징 영역은 어두웠으며, 이는 저항 손실이 주요 손실 요인임을 나타냅니다.

PL 이미징 어두웠고 EL 이미징도 어두워서 결함(화합물 손실)이 주요 원인임을 나타냅니다.

광도가 추가로 분석됩니다.

과잉생산과 저출산 → 저출산의 복합화

SRH 복합재, 광도 불량

광도가 낮은 오거 재결합

최대 광도의 복사 재결합(결함이 없는 상태)

PL 영상 해석

PL 강도는 자발 방사선 여기의 비율과 양의 상관 관계가 있습니다

- 비례상수, 주입레벨 일정하다

PL은 SS(정상 상태)와 QSS(준 정상 상태)의 두 가지 모드로 테스트할 수 있습니다.

공간 전하 영역의 영향을 받지 않는 낮은 서브온 수명에 대한 PL 테스트

소수의 아들들의 삶에 대한 지도를 출력할 수 있습니다.

iVoc으로 변환 가능

밝기가 높을수록 → 방사성 재결합이 많아집니다.

밝기가 흐릿함 → 방사성 재결합이 적음을 나타냄 → NP 값이 낮음 → 아들 수가 적고 수명이 짧음