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210mm 18BB N형 TOPCon 태양전지

210mm 18BB N형 TOPCon 태양전지

치수 :
210mmx210mm±0.25mm, Φ 295mm±0.25mm
두께 :
150μm±20μm
앞쪽 (-) :
18 busbars, 12 pads, 148fingers, busbar width 0.045±0.02mm
뒤로 (+) :
18 busbars, 12 pads, 140 fingers, busbar width 0.045±0.02mm

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TOPCon 기술 도입

TOPCON의 정식 명칭은 N형 실리콘 웨이퍼 셀 기술인 Tunnel Oxide Passivating Contacts입니다. TOPCon 셀, 즉 터널링된 산화물 패시베이션 접촉 태양전지는 셀 캐리어 선택의 패시베이션 접촉 문제를 해결하여 태양전지 효율을 향상시키는 것을 목표로 합니다.

TOPCON 셀의 전면은 기존 N형 태양전지와 동일한 구조로 되어 있으나, 가장 큰 차이점은 배터리 후면에 초박형 실리콘 산화물층을 마련한 후 얇은 도핑 실리콘층을 증착한다는 점입니다. , 이는 함께 패시베이션 접촉 구조를 형성하여 표면 복합재와 금속 접촉 복합재를 효과적으로 줄입니다.

초박형 실리콘 산화물과 고농도로 도핑된 실리콘막의 우수한 패시베이션 효과로 인해 실리콘 웨이퍼의 표면 밴드가 구부러져 필드 패시베이션 효과가 형성되고 전자 터널링 가능성이 크게 증가하며 접촉 저항이 감소하고, 변환 효율이 최종적으로 향상됩니다.

엔지니어링 도면(mm)

광도 신뢰성

강도(W/m²)	1000	900	800	600	400
으옥	1.0	0.996	0.991	0.988	0.962
Isc	1.0	0.903	0.803	0.602	0.403
* 1000W/m²에서 테스트한 Voc(Isc)를 기준으로 빛의 세기에 따라 Voc(Isc)의 감소를 테스트합니다.

IV 곡선 스펙트럼 응답

전기적 성능 분포

능률 효율(%)	최고 출력 파워 Pmpp(W)	최대 출력 포인트 전압 Vmpp(V)	최대 출력 포인트 전류 임프(A)	개방회로 전압 VOC(V)	짧은- 회로 현재의 ISC(A)	FF(%)
24.5	10.800	0.620	17.429	0.714	18.197	83.13
24.4	10.748	0.619	17.358	0.712	18.180	83.08
24.3	10.715	0.618	17.351	0.711	18.180	82.84
24.2	10.671	0.617	17.285	0.711	18.162	82.68
24.1	10.626	0.613	17.349	0.710	18.128	82.58
24.0	10.582	0.611	17.317	0.709	18.110	82.40
23.9	10.544	0.610	17.289	0.708	18.091	82.27
23.8	10.497	0.608	17.271	0.707	18.057	82.24
23.7	10.450	0.605	17.271	0.705	18.039	82.12
23.6	10.406	0.604	17.230	0.704	18.022	81.97
23.5	10.362	0.602	17.203	0.703	18.005	81.80
23.4	10.317	0.601	17.173	0.702	17.970	81.77
23.3	10.274	0.600	17.119	0.701	17.935	81.71
23.2	10.232	0.599	17.075	0.700	17.935	81.47
23.1	10.184	0.597	17.060	0.699	17.899	81.43
23.0	10.142	0.596	17.015	0.698	17.882	81.23
표준 테스트 조건:1000W/m², AM1.5, 25℃. 위의 기술 매개변수는 기술적 변경이 가능하며 테스트. 이 데이터시트에 포함된 모든 데이터는 예고 없이 변경될 수 있습니다.