지식

PL은 확산 후 공식이 나타났으나 에칭 및 세정 후에는 크게 감소하였고, 산화 후 공식은 크게 증가하여 95% 이상에 도달한 것으로 나타났다. 의심:1. 산화는 앞부분에 생성된 구멍을 증폭시킵니다.2. 에칭 후부터 ALD 전까지 오염으로 인해 Pockmark가 발생합니다. 산화는 전안부의 구멍을 증폭시킵니다. 1....

본 연구는 불화수소산(HF)으로 처리된 실리콘 이종접합 태양전지에서 도핑된 비정질 실리콘 층이 성능에 어떤 영향을 미치는지에 대한 문제를 해결합니다. 낮은 농도(2.5~5.0%)의 HF 용액은 n형 및 p형 비정질 실리콘 층에 서로 다른 영향을 미치는 것으로 나타났습니다. 또한, n형 미결정 또는 p형 비정질 실리콘 층을 HF...

과학자들은 태양전지에서 전지 효율성과 내구성을 크게 향상시키는 AZO 및 i-ZnO/AZO 이중층 구조를 생성하는 기술을 개발했습니다. 연구팀은 기판 온도 상승을 피하는 저전력 증착 방식을 사용해 우수한 투과율과 함께 9.53%의 전력 변환 효율을 달성했다.국제 연구팀이 디자인한 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드(CIGSe) 태양...

(1) 텍스처링절단 공정에서 원료 실리콘 웨이퍼는 표면에 약 10~15μm 두께의 손상 층을 형성합니다. 이 층은 실리콘 웨이퍼 매트릭스의 상태가 다르기 때문에 기본적으로 매트릭스까지 벗겨져 심각한 영향을 미칩니다. 태양 전지의 성능을 향상시키기 위해 이러한 손상층을 제거하기 위해 통합 텍스처링 생산 라인에서 기술...

1. HPBC 태양전지 기술 HPBC-Hybrid Passivated Back Contact는 태양전지 전면에 그리드가 없는 것이 특징인 차세대 고효율 태양전지 기술입니다. HPBC 태양전지와 PERC 태양전지 비교 (1) 태양전지 기술은 업계의 두 가지 첨단 태양전지 기술인 TOPCon과 IBC 기술을 결합한 것입니다. 첫째, 태양전지는 실...

BC형 태양전지, 즉 Back Contact 태양전지는 다양한 형태의 후면 접촉 구조 결정질 실리콘 태양전지를 총칭하는 말로 주로 IBC, HBC(HJT+IBC), TBC(TOPCon+IBC), HPBC, 태양전지 전면에는 그리드 라인이 없고, 태양전지 후면에 양극과 음극을 교차배열로 준비하여 전면 그리드 라인의 음영 손실을 방지합니다. 기존 태양전...

양면 부동태화 이미터 및 후면 셀(PERC)은 현재 PV 시장에서 가장 높은 점유율을 차지하고 있습니다. 그러나 이종접합(HJT) 및 터널 산화물 패시베이션 접촉(TOPCon) 태양전지는 곧 상당한 시장 점유율을 확보할 것으로 예상됩니다. 기술 발전에도 불구하고 현장에 배치될 때 이종접합 및 TOPCon 기술의 신뢰성에 대한 우려...

채플힐에 있는 노스캐롤라이나 대학과 애리조나 주립 대학의 연구원들은 24제곱센티미터의 개방 면적을 가진 대면적 페로브스카이트-실리콘 직렬 태양전지를 설계하고 25.1%의 정상 상태 효율 출력을 달성했습니다.기공 면적이 42.9제곱센티미터인 페로브스카이트 마이크로모듈의 전류-전압 곡선, 이미지: 노스캐롤라이나...

1. XBC 태양전지 기술 (1) BC는 완전히 새로운 태양전지 기술은 아니다. 후면 접촉(Back Contact)은 금속 전극을 태양전지 뒷면에 십자형 손가락 모양으로 배열해 전면에 더 많은 광흡수 영역을 만들어 전지의 전반적인 광전 변환 효율을 향상시킨다. (2) BC는 고립된 태양전지 기술이 아니다.TBC = TOPCon(...

첫째, 구리 전기도금은 광전지 태양전지의 금속화 비용을 절감하고 효율성을 높이는 데 도움이 됩니다.1.1 고가의 은 페이스트의 제약으로 인해 광전지의 금속화 공정을 시급히 혁신해야 합니다.태양광 태양전지는 광전 변환을 달성하기 위한 태양광 시스템의 가장 핵심적인 장치이며, 그 준비 과정은 주로 세척 및 텍스처...

산업 생산 라인에서 제조된 N형 PSPC(폴리실리콘 후면 부동태화 접촉) 셀의 효율은 지난 3년 동안 20.7%에서 23.6% 이상으로 증가했습니다. 급속한 효율 상승은 붕소 방출체와 얇은 n+ 폴리실리콘 층 모두에 접촉할 수 있는 금속화 페이스트에 의해 강력하게 뒷받침됩니다. 산업계에서 일반적으로 사용되는 폴리실리콘층의...

전면 금속화: 효율성 가속기 n-TOPCon SE는 효율성을 위한 더 많은 공간을 창출합니다. 기존 p+ 이미터와 비교하여 p+ 이미터 SE 프로세스는 비금속화 영역에서 더 얕은 접합을 갖고, 금속화 영역에서 더 깊은 접합을 가지며, 표면 농도를 합리적인 수준으로 유지할 수 있어 이미터 복합성을 크게 향상시킬 수 있...